【摘 要】
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据《Solid state Adranvde Packaging》2004年第3、4期报道,位于美国德州的International SEMATECH(ISMT)公司已经拥有了可以在12英寸圆片上利用193nm光刻技术、进行0.13μm
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据《Solid state Adranvde Packaging》2004年第3、4期报道,位于美国德州的International SEMATECH(ISMT)公司已经拥有了可以在12英寸圆片上利用193nm光刻技术、进行0.13μm的极低介电常数材料的铜双嵌入工艺技术。其多孔硅(MSQ)薄膜是由
According to Solid State Adranvde Packaging 2004, No. 3 and No. 4 in 2004, International SEMATECH (ISMT), a Texas-based company, already has the ability to perform 193 nm lithography on a 12-inch wafer with a very low dielectric constant of 0.13 μm Material copper double embedded technology. Its porous silicon (MSQ) film is made of
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