一种采用开关阶跃电容的压控振荡器（下）：电路设计和实现

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：kkufo

【摘要】

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为了验证阶跃可变电容压控振荡器调谐特性理论分析的正确性，提出了一种采用开关阶跃电容的新型压控振荡器电路，该压控振荡器电路采用0．25μm 1P5MCMOS工艺实现．一种新型开关阶跃

【作者】

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唐长文何捷闵昊

【机构】

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复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室

【出处】

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半导体学报

【发表日期】

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2005年11期

【关键词】

：

阶跃可变电容 MOS管可变电容开关阶跃电容电感电容压控振荡器振荡调谐曲线周期计算技术 EEACC:1230B step capacitors MOS

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为了验证阶跃可变电容压控振荡器调谐特性理论分析的正确性，提出了一种采用开关阶跃电容的新型压控振荡器电路，该压控振荡器电路采用0．25μm 1P5MCMOS工艺实现．一种新型开关阶跃电容实现了频率调谐功能，该电容的调谐电容是传统反型MOS管可变电容的146％．在1／f^3区域，差分调谐振荡器的相位噪声比单端调谐振荡器低7dB．在载波频率偏差10kHz，100kHz和1MHz处测得差分调谐时的相位噪声分别是-83，-107和-130dBc／Hz，功耗为8．6mW．

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