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采用非均相成核法在PDP用BaAl12O19 ：Mn^2＋绿色荧光粉表面包覆MgF2晶体。通过精确控制包覆工艺参数，XRD，SEM和TEM分析表明荧光粉表面包覆一层厚度约40-50nm均匀致密的MgF2晶体。包覆荧光粉空气中600℃灼烧一小时后相对亮度为99％，抗热劣化性能明显提高。
PDP用BaAl12O19 ：Mn^2＋荧光粉表面包覆MgF2研究
【摘 要】
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采用非均相成核法在PDP用BaAl12O19 ：Mn^2＋绿色荧光粉表面包覆MgF2晶体。通过精确控制包覆工艺参数，XRD，SEM和TEM分析表明荧光粉表面包覆一层厚度约40-50nm均匀致密的MgF2晶体。
【机 构】
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东南大学材料科学与工程学院,江苏苏博特新材料有限公司
【出 处】
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电子器件
【发表日期】
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2008年1期
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