Capacitive Model and S-Parameters of Double-Pole Four-Throw Double-Gate RF CMOS Switch

来源 :无线工程与技术(英文) | 被引量 : 0次 | 上传用户:fragishsss
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In this paper, we have analyzed the Double-Pole Four-Throw Double-Gate Radio-Frequency Complementary Metal-Oxide-Semiconductor (DP4T DG RF CMOS) switch using S-parameters for 1 GHz to 60 GHz of frequency range. DP4T DG RF CMOS switch for operation at high
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