【摘 要】
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为了与日益提高的输出功率同步配合,电源设计者在不断尝试新的方法来提高功率密度,其中一种新颖的方法就是采用双面冷却的DirectFET技术。其硅衬底直接压到PCB上,结构类似于
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为了与日益提高的输出功率同步配合,电源设计者在不断尝试新的方法来提高功率密度,其中一种新颖的方法就是采用双面冷却的DirectFET技术。其硅衬底直接压到PCB上,结构类似于目前广泛应用在DC/DC转换器中的场效应管,源极和栅极在硅衬底的一侧,漏极在另一侧或者底层。图1为Direct
In order to synchronize with the increasing output power, power designers are constantly trying new ways to increase the power density. One of the novel ways is to use DirectFET technology with double-sided cooling. The silicon substrate is pressed directly onto the PCB with a structure similar to that of the field-effect transistor currently used in DC / DC converters, with the source and gate on one side of the silicon substrate and the drain on the other or on the bottom. Figure 1 for Direct
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