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提出减低p-Si单晶表面复合速度参数值的两个行而有效的方法,解释了其不同的作用机理.实验表明,经HF腐蚀处理过的p-Si单晶,自然晾干的表面复合速度测算值比红外灯烘干的测算值低1个量级以上;而对于同一p-Si单晶,置于氮气氛围之中的测算值要比大气之中的测算值低2个量级以上.
p—Si单晶低表面复合速度的获得
【摘 要】
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提出减低p-Si单晶表面复合速度参数值的两个行而有效的方法,解释了其不同的作用机理.实验表明,经HF腐蚀处理过的p-Si单晶,自然晾干的表面复合速度测算值比红外灯烘干的测算值
【机 构】
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厦门大学物理学系
【出 处】
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厦门大学学报：自然科学版
【发表日期】
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2001年5期
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