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在室温条件下，球磨Ｓｉ，Ｃ混合粉末合成纳米尺寸ＳｉＣ，采用高分辨电子显微术在原子尺度上详尽地表征了该尖过程，高分辨像表明，在球磨过程中首先形成非晶Ｃ（ａ－Ｃ）、非晶Ｓ（ａ－Ｓｉ）以及纳米晶Ｓｉ（ｃ－Ｓｉ），为合成ＳｉＣ提供了适宜条件。ＳｉＣ的合成主要是通过Ｃ原子向ａ－Ｓｉ及ｃ－Ｓｉ的扩散，对于前者，形成非晶ａ－Ｓｉ（Ｃ），然后机械力诱使非晶ａ－Ｓｉ（Ｃ）的晶化，形成销大尺寸的ＳｉＣ晶粒。