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K、Ti掺杂Mg2Si电子结构和光学性质的第一性原理研究

来源 :人工晶体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：sdcwsjy

【摘 要】

：

采用第一性原理方法,对本征Mg₂Si以及K和Ti掺杂Mg₂Si的几何结构、电子结构和光学性质进行计算分析。计算结果表明本征Mg₂Si是带隙值为0.290 eV的间接带隙半导体材料,K掺杂Mg₂Si后,Mg₂Si为p型半导体,电子跃迁方式由间接跃迁变为直接跃迁,Ti掺杂Mg₂Si后,Mg₂Si为n型半导体,仍然是间接带隙。K、Ti掺杂后的静介电常数ε1(0

【作 者】

：

张琴 谢泉 杨文晟 黄思丽 

【机 构】

：

贵州大学大数据与信息工程学院

【出 处】

：

人工晶体学报

【发表日期】

：

2021年9期

【关键词】

：

Mg_(2)Si 第一性原理 掺杂 电子结构 光学性质 

【基金项目】

：

贵州省研究生科研基金([2020]037),贵州大学智能制造教融合创新平台及研究生联合基地(2020-520000-83-01-324061)。

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采用第一性原理方法,对本征Mg₂Si以及K和Ti掺杂Mg₂Si的几何结构、电子结构和光学性质进行计算分析。计算结果表明本征Mg₂Si是带隙值为0.290 eV的间接带隙半导体材料,K掺杂Mg₂Si后,Mg₂Si为p型半导体,电子跃迁方式由间接跃迁变为直接跃迁,Ti掺杂Mg₂Si后,Mg₂Si为n型半导体,仍然是间接带隙。K、Ti掺杂后的静介电常数ε1(0

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期刊

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