硅化铂肖特基势垒红外电荷耦合器件(PtSi—SBIRCCD)的暗电流密度分析

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本文主要分析硅电荷耦合器件(Si-CCD)和PtSi-SBIR CCD的暗电流来源以及降低暗电流尖峰、改善器件性能的工艺措施. This paper mainly analyzes the sources of dark current of Si-CCD and PtSi-SBIR CCD, and the technological measures to reduce the dark current spikes and improve the device performance.
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