【摘 要】
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通过一步无溶剂法合成了具有较好发光稳定性和水溶性的硅量子点(Silicon quantum dots,Si-QDs),并利用透射电镜(TEM)、红外吸收光谱(IR)、X射线光电子能谱(XPS)、X射线衍射(X
【机 构】
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重庆安全技术职业学院,重庆海关技术中心,重庆三峡职业学院
【基金项目】
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重庆市教育委员会科学技术研究计划青年项目(KJQN201804703),重庆市教育委员会高校创新研究群体项目(CXQTP19037)资助
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通过一步无溶剂法合成了具有较好发光稳定性和水溶性的硅量子点(Silicon quantum dots,Si-QDs),并利用透射电镜(TEM)、红外吸收光谱(IR)、X射线光电子能谱(XPS)、X射线衍射(XRD)和荧光光谱等手段对其进行了表征。试验发现,Si-QDs在378 nm的激发光照射下,可产生峰值位于468 nm的宽带发光;在水溶液中,添加适量Cu2+可对Si-QDs的发光产生静态猝灭。利用荧光信号猝灭程度与Cu2+浓度之间稳定的相关性可实现对Cu2+的定量检测。优化条件下,Si-QDs荧光强度
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