【摘 要】
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采用水热法制备了不同掺杂浓度的 WO3∶Ti 纳米晶粒,并在350℃下退火1h.采用 SEM、XRD 表征了材料的形貌与结构,并测试了用退火前后合成材料制成的薄膜气敏传感器件在200℃下
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采用水热法制备了不同掺杂浓度的 WO3∶Ti 纳米晶粒,并在350℃下退火1h.采用 SEM、XRD 表征了材料的形貌与结构,并测试了用退火前后合成材料制成的薄膜气敏传感器件在200℃下对NO2的气敏性能.结果表明,Ti 掺杂可以有效抑制WO 3晶粒的生长,减小晶粒尺寸；退火处理使材料的晶相发生了改变,晶粒尺寸进一步减小,晶粒分散性变好.薄膜传感器件的测试结果显示,适量 Ti 掺杂和退火处理均可提高器件对 NO2的灵敏度,退火后 Ti 掺杂2％样品制成的器件的灵敏度最大,其值达到了15．38,响应恢复时间
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