【摘 要】
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采用水热法成功制备了不同浓度的Zn1-xNixO（x=0,0.01,0.05,0.10,0.20）稀磁半导体材料,并利用X射线衍射（XRD）、透射电子显微镜（TEM）、选区电子衍射（SAED）、X射线能量色散分析（XEDS）、拉
【机 构】
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兰州理工大学,兰州理工大学理学院,兰州交通大学机电工程学院
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采用水热法成功制备了不同浓度的Zn1-xNixO（x=0,0.01,0.05,0.10,0.20）稀磁半导体材料,并利用X射线衍射（XRD）、透射电子显微镜（TEM）、选区电子衍射（SAED）、X射线能量色散分析（XEDS）、拉曼（Raman）光谱和振动样品磁强计（VSM）对其晶体结构、形貌、组成元素和磁学性能等进行表征,实验结果表明,本方法所制备的不同掺杂浓度的Zn1-xNixO稀磁半导体样品具有结晶良好的纤锌矿结构,没有杂峰出现,样品中的Ni2＋全部进入ZnO晶格中替代了部分Zn2＋的格点位置,生成单
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