【摘 要】
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<正> 当施加到Sidac两端的电压低于关断电压V_(DRM)时,几乎没有电流通过。当外加电压增加到其击穿电压V_(BO)后,器件则呈现负阻特性,进入低阻开通状态。一旦Sidac导通,两端电
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<正> 当施加到Sidac两端的电压低于关断电压V_(DRM)时,几乎没有电流通过。当外加电压增加到其击穿电压V_(BO)后,器件则呈现负阻特性,进入低阻开通状态。一旦Sidac导通,两端电压降V_(TM)很小,一般不大于3V,有的仅约1V。只要通过Sidac的电流降低到其维特电流I_(H)(一般为50mA)以下,器件则由导通跃变到阻断状态。根据Sidac伏安特性,人们在许多电路中利用Sidac作为触发和开关元件,例如高压钠灯和金属卤化物灯启动器、氙灯闪光器电路、可控硅控制极触发电路、高压稳
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