【摘 要】
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研制了两种薄膜 SOI高压 MOSFET,一种是一般结构 ,另一种是新的双漂移区结构 .两者的栅宽均为76 0μm,有源区面积为 8.5 8× 10 - 2 m m2 ,测试表明其击穿电压分别为 17V和 2
【机 构】
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复旦大学专用集成电路与系统国家重点实验室,西安交通大学 上海200433,西安710049
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研制了两种薄膜 SOI高压 MOSFET,一种是一般结构 ,另一种是新的双漂移区结构 .两者的栅宽均为76 0μm,有源区面积为 8.5 8× 10 - 2 m m2 ,测试表明其击穿电压分别为 17V和 2 6 V,导通电阻分别为 80Ω和 6 5Ω .
Two kinds of thin film SOI high voltage MOSFETs are developed, one is a general structure and the other is a new double drift region structure, both of which have a gate width of 76 μm and an active area of 8.5 8 × 10 -2 m 2, Test shows that the breakdown voltage of 17V and 26V, respectively, the on resistance of 80Ω and 65Ω.
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