【摘 要】
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采用基于第一性原理的密度泛函理论平面波超软势法,对InxBi2-xTe3晶体的电子结构进行了模拟计算.系统分析了形成能、能带结构、电子态密度以及复介电函数.计算结果表明：在In的
【基金项目】
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国家自然科学基金（11147195）,广西理工实验中心经费（LGZXKF201204）资助.
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采用基于第一性原理的密度泛函理论平面波超软势法,对InxBi2-xTe3晶体的电子结构进行了模拟计算.系统分析了形成能、能带结构、电子态密度以及复介电函数.计算结果表明：在In的比例x小于0.4的范围内,InxBi2-xTe3仍属于半导体材料,但从直接能隙变为间接能隙,能隙宽度也随着In增加而减小.
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