射频芯片内DCXO的晶体振荡主电路设计

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【摘要】

：

描述了一种射频芯片内数控晶体振荡器（DCXO）的振荡主电路设计，以Deep—N—Well CMOS工艺的PMOS为主工作管，采用Santos（改进Colpitts）结构、非对称差分式振幅控制环，避免了因Vt依赖工

【作者】

：

梅华灯周健军莫亭亭

【机构】

：

上海交通大学微电子学院

【出处】

：

信息技术

【发表日期】

：

2008年4期

【关键词】

：

晶体振荡主电路自动振幅控制相位噪声 oscillating circuitry for crystal oscillator automatic ampli

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描述了一种射频芯片内数控晶体振荡器（DCXO）的振荡主电路设计，以Deep—N—Well CMOS工艺的PMOS为主工作管，采用Santos（改进Colpitts）结构、非对称差分式振幅控制环，避免了因Vt依赖工艺与温度等而产生的可靠启振问题。该10MHz DCXO振荡器主电路，采用TSMC Mixed／RF0．18μm CMOS工艺，在2V电源电压下，仿真得到输出特性为：振幅峰峰值0．8V，平均电流2．9mA，相位噪声-140dBc／Hz@1kHz，-173dBc／Hz@1MHz，启动时间约2．8毫秒，

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