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采用MOCVD方法在AlN/蓝宝石模板生长了与GaN近晶格匹配的高质量 InAlN薄膜，并对其结构及表面特性进行了研究。结果表明：X射线衍射（20-24）面的倒易空间图表明，InAlN薄膜的晶格常数与GaN面的相匹配；（002）和（102）面的ω摇摆曲线测试表明，InAlN薄膜的晶体质量高，半峰宽值分别低达100″和248″；通过扫描电子显微镜（SEM ）分析发现，InAlN薄膜表面平整，仅存在少量位错坑；X射线能谱面扫描图（EDX映射）结果显示，除位错坑附近外，在薄膜其它区域内 Al和In元素分布均匀。