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在可见光区域,在聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)中掺杂邻羟基亚甲基苯胺(SA)样品中实现了可擦除光存储。以He-Ne激光632.8 nm线为读出光,以Ar 激光488.0 nm线为写入光和擦除光,研究了光栅写入和擦除的动力学过程。在光栅的写人过程,观察到衍射信号强度随时间先增强后减弱的现象；在写人过程衍射信号强度增长阶段开始擦除,亦可观察到此现象。而在写入过程衍射信号强度减弱阶段开始擦除,则观察到衍射信号直接变弱的现象。依据相干光调制形成相位光栅和光异构产生压力梯度引起分子扩散的光物理过程对光存储机制进行了探讨。