真空度对MBEGaAs光阴极激活结果的影响

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采用分子束外延(MBE)技术生长的GaAs光阴极材料,按照常规方法进行高一低温两步激活时,总是出现低温灵敏度比高温低的反常现象。研究中,当激活时的系统真空度从1×10^-7Pa提升到1×10^-8Pa时,发现结果能够重新出现低温灵敏度比高温灵敏度高30%的预期规律。此外,在系统真空度为10^-7 Pa条件下,由于变掺杂材料的表面掺杂浓度较低,其出现光电流时的首次进Cs时间也较均匀掺杂材料长,而在真空度为约10^-9 Pa条件下,这一情况也不再明显。初步分析造成该现象的原因,是与MBE材
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