论文部分内容阅读
自停止腐蚀工艺是在大规模集成电路工艺基础上发展起来的一项腐蚀工艺, 它利用不同浓度的腐蚀剂对不同掺杂浓度的硅片腐蚀速度差异,达到制备一定形状的器件的目的,这项工艺在微机械器件的制作中,具有特殊的意义.本文即是利用不同浓度的KOH溶液对硼掺杂浓度小于1×1019cm-3时的<100>硅,腐蚀速率为常数,而硼掺杂浓度超过该浓度时,腐蚀速率迅速下降的特点,来制备薄膜的.其主要工艺参数如下:<100>面双面抛光P型硅片,正面氧化1μm,光刻硼扩散窗口.预氧化,80nm后,浓硼预淀积,温