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三维集成是当前集成电路技术研究的热点之一,就三维集成的基本结构——SOMOS结构的低频和高频电容-电压特性进行了研究,建立了解析模型,并利用二维半导体器件仿真软件SILVACO对模型进行了验证,二者吻合良好。而后借助该模型,对不同的偏置条件下的低频和高频电容—电压特性的物理机理进行了探讨,证实了通过电容-电压特性法对三维堆叠结构进行无损表征的可行性。