基于高雾度BZO前电极的高效率非晶硅/纳米硅叠层电池的制备

来源 :太阳能学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：xieyl2010

【摘要】

：

利用自行设计开发的LPCVD设备和BZO生长工艺制备BZO导电玻璃,并用自行研发的工艺在其上制备非晶硅/纳米硅叠层电池,同时用相近工艺在商用FTO导电玻璃上制备电池,对两者进行比

【作者】

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彭长涛张津岩胡安红曲铭浩王全良蒋奇拯郁操汝小宁

【机构】

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铂阳装备集团公司研发中心,成都,610200;铂阳装备集团公司研发中心,成都610200;汉能创昱科技有限公司,北京102209;四川汉能光伏有限公司,成都,610200

【出处】

：

太阳能学报

【发表日期】

：

2013年12期

【关键词】

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silicon-based thin film solar cell nano-crystalline silicon BZO light trapping L

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利用自行设计开发的LPCVD设备和BZO生长工艺制备BZO导电玻璃,并用自行研发的工艺在其上制备非晶硅/纳米硅叠层电池,同时用相近工艺在商用FTO导电玻璃上制备电池,对两者进行比较.实验发现:在工业化生产可接受的条件下,自行开发BZO前电极电池的QE总电流密度可比高质量商用FTO前电极电池高约1 mA/cm2;通过自行研发的工艺技术,成功解决BZO前电极+非晶硅/纳米硅叠层+银背电极结构电池的开路电压和填充因子过低的问题,所制备的BZO前电极电池初始效率最高可达12.2％.

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