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氮杂质对直拉单晶硅中位错的作用

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：wwp8133

【作 者】

：

李东升  杨德仁  朱爱平  黄笑容  王淦  张锦心  李立本 

【出 处】

：

半导体学报

【发表日期】

：

2001年11期

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