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当前，电力半导体器件的发展重点是采用新的原理，开发新的ＭＯＳ双极器件（ＩＧＢＴ和ＭＣＴ）和场控器件（ＳＩＴＨ）。本文介绍国外这几种器件的研制发展现状，以及这些器件的应用情况。
国外新器件研制和应用现状
【摘 要】
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当前，电力半导体器件的发展重点是采用新的原理，开发新的ＭＯＳ双极器件（ＩＧＢＴ和ＭＣＴ）和场控器件（ＳＩＴＨ）。本文介绍国外这几种器件的研制发展现状，以及这些器件的应用情况。
【机 构】
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西安电力电子技术研究所
【出 处】
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电气传动
【发表日期】
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1996年3期
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