【摘 要】
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近日,德州仪器推出了业内首款80V、10A集成氮化镓(GaN)场效应晶体管(FET)功率级原型机。此次原型机由位于四方扁平无引线(QFN)封装内的一个高频驱动器和两个采用半桥配置的Ga
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近日,德州仪器推出了业内首款80V、10A集成氮化镓(GaN)场效应晶体管(FET)功率级原型机。此次原型机由位于四方扁平无引线(QFN)封装内的一个高频驱动器和两个采用半桥配置的GaN FET组成,使之非常易于设计。全新的LMG5200GaN FET功率级原型机将有助于加快下一代GaN电源转换解决方案的市场化,此方案为空间有限且高频的工业应用和电信应用提供
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