GaAlIn掺杂ZnO电子结构的第一性原理计算

来源 :电子元件与材料 | 被引量 : 0次 | 上传用户:ASHLEY920
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计算了Ga、Al、In掺杂ZnO体系电子结构,分析了掺杂对ZnO晶体的结构、能带、电子态密度、差分电荷分布的影响.所有计算,都是基于密度泛函理论(DFT)框架下的第一性原理平面波超软赝势方法.计算结果表明:在导带底引入了大量由掺杂原子贡献的导电载流子(Ga:2.57×1021 cm-3;Al:2.58×1021 cm-3;In:2.53×1021 cm-3),明显提高了体系的电导率.同时,光学带隙展宽,且向低能方向漂移,可作为优良的透明导电薄膜材料.
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