【摘 要】
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窄带隙二维半导体材料Bi2O2Se由于其具有较高的载流子迁移率和优异的热学、化学稳定性, 在紫外-可见-近红外光谱区的光电子学领域有着广阔的应用前景. 本文通过化学气相沉积
【机 构】
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中国地质大学(北京)数理学院, 北京 100083
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窄带隙二维半导体材料Bi2O2Se由于其具有较高的载流子迁移率和优异的热学、化学稳定性, 在紫外-可见-近红外光谱区的光电子学领域有着广阔的应用前景. 本文通过化学气相沉积法合成了大面积高质量的Bi2O2Se单晶薄膜, 讨论了温度对薄膜形貌的影响规律, 并在此基础上制备了Bi2O2Se光电导探测器, 分别研究了Bi2O2Se在云母基片和氧化硅基片上的光电性能. 在532 nm光照下, 源漏电压仅为0.5 V时, 云母片上的Bi2O2Se薄膜的光电响应度和比探测率高达45800 A/W和2.65 × 1012 Jones (1 Jones = 1 cm·Hz1/2·W–1),相应的光电增益超过105. 研究结果表明Bi2O2Se在低功耗、高灵敏度的光电器件中具有优异的探测潜力.
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