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10-20MeV中子引起单粒子翻转的微分析

来源 :电子显微学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：seaboy258

【摘 要】

：

我们用Monte Carlo方法模拟了10～20MeV中子引起的单粒子翻转.计算了引起电离能量沉积的五种概率.对于一个临界电荷分别为0.05、0.10和0.15pC的16K静态RAM存储器硅片,我们计算

【作 者】

：

李华 

【机 构】

：

暨南大学物理系

【出 处】

：

电子显微学报

【发表日期】

：

2005年2期

【关键词】

：

单粒子翻转 中子 微分析 CARLO方法 能量沉积 静态RAM 计算结果 存储器 物理量 概率 电离 平均 入射 电荷 临界 三次 Monte Carlo si 

【基金项目】

：

国家自然科学基金

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我们用Monte Carlo方法模拟了10～20MeV中子引起的单粒子翻转.计算了引起电离能量沉积的五种概率.对于一个临界电荷分别为0.05、0.10和0.15pC的16K静态RAM存储器硅片,我们计算了引起单粒子翻转的入射中子平均注量及由(n,α)反应引起的单粒子翻转的概率.给出了三次接近入射中子平均注量的中子引起的单粒子翻转中,在灵敏单元内与电离能量沉积相关的一系列物理量的计算结果.这些结果能够为10～20MeV中子引起的单粒子翻转提供统计的和微观描述的信息.

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