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本文总结了MOCVD反应器中，由TMAl和NH3为反应源生长AlN时出现的气相反应、表面反应及化学沉积中的寄生反应。
MOCVD生长AlN的化学反应分析
【摘 要】
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本文总结了MOCVD反应器中，由TMAl和NH3为反应源生长AlN时出现的气相反应、表面反应及化学沉积中的寄生反应。
【机 构】
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重庆能源职业学院
【出 处】
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山东工业技术
【发表日期】
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2017年8期
【基金项目】
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重庆市教委科学技术研究项目(KJ1505502)
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