论文部分内容阅读
测试了 MESFET工艺条件下制作的霍尔片的基本性能.对设计出的 GaAs集成霍尔元件进 行了不等位电势的测试,采用霍尔元件并联和自旋电流的方法对 GaAs方形霍尔元件的不等位电 势进行了静态和动态调制消除.实验结果表明 GaAs霍尔元件的不等位电势引起的偏差可以控制 在可以忽略的范围内.
GaAs霍尔元件不等位电势的调制消除
【摘 要】
：
测试了 MESFET工艺条件下制作的霍尔片的基本性能.对设计出的 GaAs集成霍尔元件进 行了不等位电势的测试,采用霍尔元件并联和自旋电流的方法对 GaAs方形霍尔元件的不等位电
【机 构】
：
中国科学院上海微系统与信息技术研究所,中国科学院上海微系统与信息技术研究所
【出 处】
：
功能材料与器件学报
【发表日期】
：
2004年4期
其他文献
在人类社会的发展过程中，知识的获取、运用、继承和发展始终伴随着人类社会的进步。在当代，知识已经成为经济发展的关键性因素，它改变了经济增长的方式，成为经济发展的第一推动力
期刊
目的：探讨重型颅脑损伤的临床观察及护理。方法：对我院2004年1月～2006年1月共收治的106例重型颅脑损伤患者给予严密．观察和精心护理。结果：本组106例中痊愈74例，好转9例，死亡18例．5例
以MoO3粉和S为原料，高温下在普通管式炉中化学气相反应制备合成了MoS2纳米管。结果显示制备合成的MoS2纳米管全是开口的，直径分布很均匀，有的纳米管上粘结有纳米粒子。研究了实
提出一种应用于 CMOS图像传感器的新型光电检测器件-双极型光栅晶体管,并建立了 其瞬态等效电路模型,利用电路模拟软件 HSPICE的多瞬态分析法对双极型光栅晶体管的光电 流特
虚拟运行是MEMS器件运行规律的图形化展示，虚拟运行的基础是器件动态模型。首先分析了微泵的静态模型。以有限元分析数据为起点，获得了膜片静态模型。随后给出了阀片的静态模型