【摘 要】
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研究了过渡族难熔金属Hf体系Hf/Al电极在不同退火条件下与In型GaN的欧姆接触特性,并与Ti基Ti/Al电极进行了对比.采用圆点型传输线模型测量了Hf/Al和Ti/Al电极的比接触电阻率.
【机 构】
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中国地质大学（北京）数理学院,中国科学院半导体研究所
【基金项目】
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国家重点研发计划(批准号:2017YFB0404201);国家自然科学基金(批准号:61774147,61504128)资助的课题~~
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研究了过渡族难熔金属Hf体系Hf/Al电极在不同退火条件下与In型GaN的欧姆接触特性,并与Ti基Ti/Al电极进行了对比.采用圆点型传输线模型测量了Hf/Al和Ti/Al电极的比接触电阻率.结果表明,同等退火条件下的Hf/Al电极,相比于传统Ti/Al电极,展现出了更加优越的欧姆接触性能.在N2氛围中低温650℃条件下退火60 s的Hf/Al电极得到了最低的比接触电阻率为4.28×10^-5Ω·cm^2.本文还利用深度剖析的俄歇电子能谱仪对电极的结构特性进行了分析,经历退火的Hf/A
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