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硅基铁电微声学器件中薄膜残余应力的研究
硅基铁电微声学器件中薄膜残余应力的研究
来源 :中国机械工程 | 被引量 : 0次 | 上传用户:yuanyuanzhujinbo
【摘 要】
:
采用基底曲率法测量了硅基铁电微声学器件中各层薄膜的残余应力情况,通过调节热氧化的二氧化硅层的厚度,优化了微声学器件中复合膜的残余应力,得到平整的振膜结构,提高了器件
【作 者】
:
杨轶
张宁欣
任天令
刘理天
【机 构】
:
清华大学
【出 处】
:
中国机械工程
【发表日期】
:
2005年14期
【关键词】
:
残余应力
基底曲率法
微声学器件
铁电
residual stress substrate curvature method micro-acoustic de
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采用基底曲率法测量了硅基铁电微声学器件中各层薄膜的残余应力情况,通过调节热氧化的二氧化硅层的厚度,优化了微声学器件中复合膜的残余应力,得到平整的振膜结构,提高了器件的可靠性和成品率.
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