一种低功耗全CMOS电压基准电路的设计

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提出一种低功耗全CMOS电压基准电路,它是根据NMOS载流子迁移率与阈值电压互补的温度效应原理产生的电压基准。采用0.5um n阱硅栅工艺模型.通过Hspice软件对电路进行了仿真,在-20- +100℃)g.范围内温度系数为33ppm/℃,电路工作在3~5V电压下,静态功耗仅为10-5uA。
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