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卤化银微晶中浅电子陷阱的阈值效应
卤化银微晶中浅电子陷阱的阈值效应
来源 :信息记录材料 | 被引量 : 0次 | 上传用户:LIUANQING5201314
【摘 要】
:
依据描述卤化银微晶中光生载流子的微观动力学过程的基本模型,分析了自由光电子衰减时间随浅电子陷阱深度和密度的变化情况,从而对浅电子陷阱的阈值效应进行了讨论,给出了确
【作 者】
:
张荣香
刘荣鹃
耿爱丛
韩理
李晓苇
杨少鹏
傅广生
【机 构】
:
河北大学
【出 处】
:
信息记录材料
【发表日期】
:
2004年1期
【关键词】
:
卤化银
微晶
光生载流子
自由光电子
浅电子陷阱
阈值效应
silver halide
shallow electron trap
trap depth
tra
【基金项目】
:
河北省自然科学基金,河北省博士科研项目
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依据描述卤化银微晶中光生载流子的微观动力学过程的基本模型,分析了自由光电子衰减时间随浅电子陷阱深度和密度的变化情况,从而对浅电子陷阱的阈值效应进行了讨论,给出了确定卤化银乳剂中浅电子陷阱最佳掺杂条件的依据.
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