【摘 要】
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以双肖特基势垒模型为基础，分析了ZnO压敏陶瓷中界面态的起源及本质。分析结果认为，在晶界处，大离子半径的Bi和Ba偏析至界面，是造成界面态密度Ns的主要原因；氧以化学吸附氧的形式
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以双肖特基势垒模型为基础，分析了ZnO压敏陶瓷中界面态的起源及本质。分析结果认为，在晶界处，大离子半径的Bi和Ba偏析至界面，是造成界面态密度Ns的主要原因；氧以化学吸附氧的形式存在，对提高界面态密度也起关键作用。因此，ZnO压敏陶瓷中的界面态主要来源于非本征界面态。对界面态本质讨论的结果认为，应区分界面态密度Ns及有效界面态密度ns，在做上述区分后，导电机理的解释及势垒高度Фb的计算将更趋于合理化。
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