我国半导体照明技术发展路线图

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  在2004年年底,当时为了更好的指导我国半导体照明产业的发展,并充分考虑到我国的实际情况,国家半导体照明工程项目管理办公室制订了中国第一部半导体照明技术发展路线图,具体技术指标如下图所示。
  2004年年底,用蓝光+黄色荧光粉制成的标准φ5白光 LED的光效只有60~70 lm/W,而大功率1W白光LED的光效只有25 lm/W左右。在近两年期间,φ5白光LED的光效已经达到130 lm/W,而1W白光LED的光效也已达到70~80 lm/W,是2004年指标的3倍。LED光效的提高主要是通过LED外延与芯片结构优化,改善内量子效率和出光效率得到的,同时从散热着手,最大限度地提高LED光电转换的能力。
  从国内实际发展情况来看,2006年国内生产的半导体照明用LED芯片和大功率LED的技术指标已经超出当初的预期,同时在成本方面的降低速度也超出了当时的预期。但2008年的指标看来具有非常大的挑战性,在5瓦的条件下达到60lm/W,在今天看来难度很大。下表1列出了近五年来的国产大功率白光LED发展进程:
  从表1可以看出,虽然大功率LED的用途是照明,但其发展规律和速度更像是半导体行业,按此速度发展下去,半导体照明走进我们日常生活的脚步正越来越近了。
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