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随着景深和光刻胶薄膜厚度的不断减小，在未来光刻方案中所用的含硅材料应当提供抗刻蚀的选项。
用于亚65nm刻蚀的含硅材料
【摘 要】
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随着景深和光刻胶薄膜厚度的不断减小，在未来光刻方案中所用的含硅材料应当提供抗刻蚀的选项。
【机 构】
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DowComingCorp.
【出 处】
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集成电路应用
【发表日期】
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2007年11期
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