【摘 要】
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台积电近期披露了其第一个40nm生产工艺技术，并且表示将在未来三个月内用这种技术生产出第一批晶圆。这个工艺把浸没式光刻技术和极低功率的材料结合在了一起。台积电称，该工艺
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台积电近期披露了其第一个40nm生产工艺技术，并且表示将在未来三个月内用这种技术生产出第一批晶圆。这个工艺把浸没式光刻技术和极低功率的材料结合在了一起。台积电称，该工艺将生产出目前市场上尺寸最小的SRAM（静态存储器）芯片单元，芯片尺寸可缩小到0．242μm^2。台积电称，通过从45nm向40nm的过渡，电源消耗将减少15％。此外，新的40nm节点显然能够让LP芯片和G芯片提供比65nm工艺高2．35倍的芯片闸密度。台积电表示，新的低功率40LP芯片将用于敏感型应用，如便携式设备和无线设备。40G芯片将用
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