【摘 要】
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介绍了非晶带产生巨磁阻抗(GMI)效应的机理,对Co基非晶带进行了磁场后退火处理,磁阻抗比得到显著提高,为179%。在此基础上设计了一种基于GMI效应的磁传感器电路,详述了各个环
【机 构】
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北京航空航天大学仪器科学与光电工程学院功能材料与器件研究室,北京航空航天大学中英空间科学技术联合实验室,
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介绍了非晶带产生巨磁阻抗(GMI)效应的机理,对Co基非晶带进行了磁场后退火处理,磁阻抗比得到显著提高,为179%。在此基础上设计了一种基于GMI效应的磁传感器电路,详述了各个环节的电路设计。通过优化传感器电路相关的工作参数,改善了传感器输出性能并给出了典型结果。在常温下,非晶带激励电流频率为10MHz时得到了非晶带的最佳激励电流幅值,为15mA,并测得H-V转换曲线。传感器在开环和闭环下进行了对比试验,在测量磁场范围±1Oe(1A.m-1=4π×10-3Oe)内得到磁传感器灵敏度为219mV/Oe,线性度为10.8%。其在弱磁探测领域有较好的应用前景。
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