【摘 要】
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研究了Si掺杂对MOCVD生长的(Al0.3Ga0.7)InosP／Ga0.5In0.5P多量子阱发光性能的影响．样品分为两类：一类只生长了(Al0.3Ga0．7)In0.5P／Ga0.5In0．5P多量子阱结构；另一类为完整的多量子阱
【机 构】
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华南师范大学光电子材料与技术研究所
【基金项目】
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国家高技术研究发展计划资助项目(批准号:00068)~~
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研究了Si掺杂对MOCVD生长的(Al0.3Ga0.7)InosP／Ga0.5In0.5P多量子阱发光性能的影响．样品分为两类：一类只生长了(Al0.3Ga0．7)In0.5P／Ga0.5In0．5P多量子阱结构；另一类为完整的多量子阱LED结构．对于只生长了(Al0．3Ga0.7)In0．5P／Ga0．5In0．5P多量子阱结构的样品，掺Si没有改变量子阱发光波长，但使得量子阱发光强度略有下降，发光峰半高宽明显增大．这应是掺Si使量子阱界面质量变差导致的．而在完整LED结构的情况下，掺Si却大大提高了量
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