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摸索了利用PECVD方法制备嵌埋于硅槽中Si反Opal结构的工艺条件，探索性研究了射频功率、气体流量、反应室压力、沉积时间和Opal基底状态对填充效果的影响。结果显示射频功率越小，流量越低，反应室压力越大，则反应速率越低，Opal结构内外填充越均匀。同时，在[SiHm]自由基扩散通道不被堵塞的前提下，沉积时间越长，Opal结构排列越规整，则整体填充越致密，越有利于反Opal结构的形成。