【摘 要】
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FDZ3N513ZT结合了一个30V集成式N沟道MOSFET和一个肖特基二极管,具有极低的输入电容(典型值45pF)和总体栅极电荷(1nC),占位面积仅为1mm×1mm。FDZ3N513ZT是升压转换器中的主
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FDZ3N513ZT结合了一个30V集成式N沟道MOSFET和一个肖特基二极管,具有极低的输入电容(典型值45pF)和总体栅极电荷(1nC),占位面积仅为1mm×1mm。FDZ3N513ZT是升压转换器中的主要元件
The FDZ3N513ZT combines a 30V integrated N-channel MOSFET and a Schottky diode with very low input capacitance (45pF typical) and an overall gate charge (1nC) footprint of just 1mm x 1mm. The FDZ3N513ZT is the main component in a boost converter
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