以“津绿21-10”黄瓜为试材,采用盆栽试验方法,研究了石灰性褐土在不同硅浓度介入对不同镉浓度胁迫下黄瓜苗期生长、光合色素含量、叶绿素荧光参数及光合参数的影响,以期探究硅对镉毒害的缓解作用.结果 表明:镉胁迫均影响黄瓜苗期生长,功能叶片光合色素含量,叶绿素荧光参数和光合参数.硅的介入提高了黄瓜苗期生长量、光合色素含量、PSⅡ实际光合量子产量(Y(Ⅱ))、光化学淬灭系数(qP)、净光合速率(Pn)、蒸腾速率(Tr)、气孔导度(Gs),降低了初始荧光(Fo)、胞间二氧化碳浓度(Ci);PSⅡ最大光化学效率(Fv/Fm),在较高浓度硅(Si≥300 mg· kg-1)介入后,各浓度镉胁迫下对Fv/Fm无显著影响,并且趋于稳定;黄瓜功能叶片类胡萝卜素在硅浓度100～300 mg·kg-1介入下,体现出其保护机制;高浓度镉(5 mg·kg-1)胁迫下,需施加足量硅浓度(Si≥200 mg·kg-1)才能体现对黄瓜苗期生理指标的缓解作用.说明硅介入可以缓解镉胁迫对黄瓜苗期生理特性的毒害,改善镉胁迫下黄瓜苗期叶片的光系统Ⅱ以及光合作用,施用适量的硅可以抑制和缓解镉污染土壤中植物的镉毒害.