【摘 要】
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在某些长期服役情况下,部分LED片式COB光源荧光胶发黑,影响了光的转换和取出。利用场发射扫描电镜（FESEM）观察荧光胶表面形貌,并用X射线光电子能谱仪（XPS）分析发黑前后荧光胶层的
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在某些长期服役情况下,部分LED片式COB光源荧光胶发黑,影响了光的转换和取出。利用场发射扫描电镜（FESEM）观察荧光胶表面形貌,并用X射线光电子能谱仪（XPS）分析发黑前后荧光胶层的组成与化学键的变化。结果表明：老化发黑的试样中C的原子分数从59.26%增加至79.05%;Si的原子分数基本没有变化;随着老化发黑程度的加深,C=C键和C=O（O-C=O）键的相对含量分别由54.6%和6.2%降低至30.4%和3.0%,C=C和C=O键被大量分解,形成游离的C和O元素,富积在芯片表面形成了黑色物质。
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