砷化镓肖特基势垒光电二极管

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美国某公司试制成带宽为100千兆赫的平面型砷化镓(GaAs)肖特基势垒光电二极管.基片是平面的半绝缘性GaAs,在它上面用液相外延法形成0.4微米厚的N~+GaAs层和0.3微米厚的NGaAs层.NGaAs层的自由电子密度为1×10~(17)/厘米~3;对肖特基势垒和 A U.S. company prototyped a planar GaAs Schottky barrier photodiode with a bandwidth of 100 Gigahertz. The substrate was a planar, semi-insulating GaAs on which a liquid crystal epitaxial process was applied to form a 0.4 micron thick Of the N ~ + GaAs layer and 0.3μm thick NGaAs layer.The free electron density of the GaAs layer is 1 × 10 ~ (17) / cm ~ 3; Schottky barrier and
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