【摘 要】
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针对大功率绝缘栅双极型晶体管(IGBT)应用中存在的关断过电压问题,提出了一种两段式有源门极关断技术。在IGBT关断过程中,通过在IGBT集电极和门极之间使用2个小容值的高压陶
【机 构】
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西安理工大学自动化信息工程学院,国网陕西省电力公司经济技术研究院,中国人民解放军63751部队
【基金项目】
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国家自然科学基金项目（51507140）；陕西省自然科学基础研究计划（2018JM5041）；电力设备电气绝缘国家重点实验室开放课题（EIPE17209）
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针对大功率绝缘栅双极型晶体管(IGBT)应用中存在的关断过电压问题,提出了一种两段式有源门极关断技术。在IGBT关断过程中,通过在IGBT集电极和门极之间使用2个小容值的高压陶瓷电容和一串瞬态抑制二极管(TVS),在不同关断阶段,获得2个差别较大的门极反馈增益,从而达到限制关断过电压和控制关断电压上升率的目的。在Saber仿真环境中,与其它有源门极关断技术进行了充分比较和研究。
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