为高效高可靠开关优化的一种成熟的1200V SiC JFET技术

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【摘要】

：

在SiC二极管经过10年的成功生产后,我们认为SiC技术已足够成熟以提出我们的第一个SiC开关器件。SiC独特的物理特性使我们有机会设计除硅超结器件和IGBT外的新一类高压开关器

【作者】

：

J.Hilsenbeck F.Bjork W.Bergner

【机构】

：

北京微电子技术研究所

【出处】

：

电力电子

【发表日期】

：

2004年期

【关键词】

：

JFET技术高压开关器件

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在SiC二极管经过10年的成功生产后,我们认为SiC技术已足够成熟以提出我们的第一个SiC开关器件。SiC独特的物理特性使我们有机会设计除硅超结器件和IGBT外的新一类高压开关器件,其关键特征在于较低的静态和动态功耗以及体二极管的集成,这对依靠硬开关整流及谐振开关的电路拓扑来说将被证实是革命性的。本文将讨论其主要技术特点

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