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研究了多孔硅的制备条件对多孔硅冷阴极场发射特性的影响，实验表明多孔硅的制备条件如电解电流密度、电解时间等多孔硅冷阴极的场发射特性有较大的影响。
阳极氧化条件对多孔硅冷阴极场发射特性的影响
【摘 要】
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研究了多孔硅的制备条件对多孔硅冷阴极场发射特性的影响，实验表明多孔硅的制备条件如电解电流密度、电解时间等多孔硅冷阴极的场发射特性有较大的影响。
【机 构】
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镇江高等专科学校,中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
【出 处】
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液晶与显示
【发表日期】
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2000年4期
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