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利用硅单晶的各向异性腐蚀技术，研究了UFPA探测器的微桥腐蚀工艺．采用独特的腐蚀装置在厚度为300μm的硅基片上成功地制备了腐蚀坑深度为260μm，桥面宽度为2mm的微桥结构．该装置能有效保护硅基片正面免受腐蚀液的漏蚀，从而可实施热释电薄膜的沉积先于微桥制备的技术线路，对提高器件的成品率具有重要的意义．