电感耦合等离子体刻蚀InP端面的掩膜特性研究

来源 :功能材料与器件学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：yuzao81927

【摘要】

：

深入研究了掩膜制作工艺对电感耦合等离子体刻蚀的InP端面的影响.首先比较了光刻胶、SiO2和Si3N4三种材料的掩膜特性,发现掩膜图形的致密性、侧壁粗糙度和垂直度等对刻蚀效果

【作者】

：

王健熊兵孙长征郝智彪罗毅

【机构】

：

集成光电子国家重点实验室

【出处】

：

功能材料与器件学报

【发表日期】

：

2003年4期

【关键词】

：

干法刻蚀掩膜 ICP INP 刻蚀端面等离子体 dry etching mask ICP InP etched - facet

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深入研究了掩膜制作工艺对电感耦合等离子体刻蚀的InP端面的影响.首先比较了光刻胶、SiO2和Si3N4三种材料的掩膜特性,发现掩膜图形的致密性、侧壁粗糙度和垂直度等对刻蚀效果具有至关重要的影响.然后通过优化SF6等离子体刻蚀Si3N4的条件,得到了边缘平整且侧壁垂直的掩膜图形.利用这一掩膜制作技术,获得了深度达7μm的光滑垂直的InP刻蚀端面,选择比达15:1.

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